使用b形管的(熔點的測定實驗b形管有哪些注意事項)
1.熔點的測定實驗b形管有哪些注意事項
1、注意要加熱環(huán)狀部位的右側，進行熱浴。
2、熔點管要干凈，管壁要薄。
3、測量時將b型管裝滿管中的環(huán)狀部分，過多的話液體沸騰會溢出。液體可裝液體石蠟等。
4、當所用溫度計浸入傳溫液在6cm以上時，管長應適當增加，使露出液面3cm以上，輕擊管壁或借助長短適宜的潔凈玻璃管，垂直放在表面皿或其他適宜的硬質物體上，將毛細管自上口放入使自由落下，反復數(shù)次，使粉末緊密集結在毛細管的熔封端。
擴展資料：
熔點測定法：
1、測定易粉碎的固體藥品：
取供試品適量，研成細粉，除另有規(guī)定外，應按照各藥品項下干燥失重的條件進行干燥。若該藥品為不檢查干燥失重、熔點范圍低限在135℃以上、受熱不分解的供試品，可采用105℃干燥；熔點在135℃以下或受熱分解的供試品，可在五氧化二磷干燥器中干燥過夜或用其他適宜的干燥方法干燥。
2、測定不易粉碎的固體藥品：
取供試品，注意用盡可能低的溫度熔融后，吸入兩端開口的毛細管（同第一法，但管端不熔封）中，使高達約10mm。在10℃或10℃以下的冷處靜置24小時，或置冰上放冷不少于2小時，凝固后用橡皮圈將毛細管緊縛在溫度計上，使毛細管的內容物部分適在溫度計汞球中部。
3、測定凡士林或其他類似物質：
取供試品適量，緩緩攪拌并加熱至溫度達90~92℃時，放入一平底耐熱容器中，使供試品厚度達到12mm±1mm，放冷至較規(guī)定的熔點上限高8~10℃；取刻度為0.2℃、水銀球長18~28mm、直徑5~6mm的溫度計，使冷至5℃后，擦干并小心地將溫度計汞球部垂直插入。
參考資料來源：百度百科-熔點測定法
2.熔點的測定實驗b形管有哪些注意事項?
熔點的測定實驗中，b形管的注意事項： 1、熔點管要干凈，管壁要薄。
2、測量時將b型管裝滿管中的環(huán)狀部分，過多的話液體沸騰會溢出。液體可裝液體石蠟等。
3、注意要加熱環(huán)狀部位的右側，進行熱浴。 4、當所用溫度計浸入傳溫液在6cm以上時，管長應適當增加，使露出液面3cm以上，輕擊管壁或借助長短適宜的潔凈玻璃管，垂直放在表面皿或其他適宜的硬質物體上，將毛細管自上口放入使自由落下，反復數(shù)次，使粉末緊密集結在毛細管的熔封端。
擴展資料： 熔點測試流程： 1、樣品的干燥和研磨； 2、裝樣（把兩頭封閉長度約10~12cm的熔點管中間割裂，開口的一端插入樣品粉末中，裝樣約高3~4mm，倒轉填緊后，樣高2~3mm）; 3、把裝樣品的毛細管附于溫度計上（樣品部分在水銀球中部）； 4、放入熱?。囟扔嬎y球在熱浴中部，水銀球不能碰瓶底也不能離開熱浴液面）； 粗測熔點，粗測時升溫可稍快，一般每分鐘4~5℃，直至樣品熔化，記下此時溫度計讀數(shù)，供精確測定熔點時參考； 5、加熱、控溫（開始升溫可快，當溫度接近粗側熔點15℃時，控制升溫速度1~2℃/min）; 6、觀察熔點（始熔：固體收縮，當樣品開始塌落并出現(xiàn)液相時，即為始熔；全熔：固體完全消失而成透明的液體時，即為全熔）； 7、記錄結果（熔點范圍，即始熔至全熔溫度）； 8、要有二次以上重復的數(shù)據(jù)（通常不取平均值），第二次要用新裝樣品的熔點管，浴溫要低于熔點20℃以上才放入。 參考資料來源：百度百科-b型管 參考資料來源：百度百科-熔點測定法 參考資料來源：百度百科-熔點測定。
3.是否毛細管法測熔點時毛細管一定要貼在溫度計遠離支管的一側,如
就我個人的經驗，從來沒有聽說過這個要求。
使用b型管的注意事項是溫度計應該置于兩個支管口之間，也即是處于熱回流之中。
毛細管的樣品部分只要和溫度計水銀球平齊即可。就是說要注意的是Y軸位移，而不用在意X軸位移。
當然，為了觀察方便，一般將它貼在遠離支管的一側或者靠近支管的一側。
這個鏈接里有圖可以看看：
4.預應力波紋管安裝應該注意的基本事項
工程可以說是非常關鍵的，因為這樣的波紋管所發(fā)揮的作用主要是為了將壓力轉換為位移力等。如今市面上有著不同材質的預應力波紋管，包括了金屬材質和塑料材質。整體靈敏度高，并且擁有了十分出色的性能指標。
這幾年不斷有商家開始引進這類管材，進而使得預應力波紋管安裝基本注意事項，引起了大家的高度關注。下面我們就簡單的為各位消費者群體和商家們介紹一下，關于預應力波紋管安裝的基本注意事項，讓大家在整個安裝過程當中都可以更加正確和順暢。
第一、在波紋管道進行地溝埋設的時候，必須要按照規(guī)定的設計要求，以及符合標準的施工步驟進行操作。并且擺放一定要盡可能平直，如果溝底存在不平的現(xiàn)象，可以鋪上細沙將其鋪墊平整。不僅如此，在進行埋管之前還應該清除溝內當中的各類硬質物，這樣可以避免后期使用過程當中，因為硬物質導致波紋管的變形。
第二、在預應力波紋管安裝施工過程當中，每根預應力波紋管都可能存在長度不一樣的情況。這個時候，就需要根據(jù)實際環(huán)境所需要的長度，進而再測量好管材的準確長度之后鋸斷。在鋸斷的時候，一定要注意切口的平整度，這樣才能在連接的時候擁有更好的密封性。
第三、對于預應力波紋管安裝鋪設第一段的時候，盡可能不要先填土。用穿纜器試試，可以順利穿孔之后才能繼續(xù)進行下面的管材鋪設工程，這樣更利于后期鋪設。
第四、在預應力波紋管安裝鋪設好之后，一定要先使用細土或是細將其覆蓋到符合標準的高度。切記不能讓波紋管材處于一種懸空的狀態(tài)。除此之外，如果外力導致了管線或是其他存在一定的損壞現(xiàn)象。這個時候在接孔的地方使用水泥將其包覆，這樣才能進一步確保使用安全。
第五、在波紋管安裝完畢后，相關工作人員應該盡快將波紋管上的各種輔助定位構件以及相關緊固件進行拆除。并且需要按照規(guī)定的設計要求，進而將限位裝置調到符合要求的位置，這樣一來，才能夠幫助管材在環(huán)境條件下發(fā)揮更好的補償能力。
以上幾點就是我們針對預應力波紋管安裝，作出的簡單分析介紹。希望可以幫助大家更深入的了解這類管材的鋪設以及安裝，從而作出最正確的操作步驟和安裝手法，使得后期使用起來更加順暢。
5.場效應管 使用原則
MOS場效應管 即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。
通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。
所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。
以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。
圖1(a)符號中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。
隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。 國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。
它們的管腳排列（底視圖）見圖2。 MOS場效應管比較“嬌氣”。
這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。
管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電感措施。
下面介紹檢測方法。 1.準備工作 測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。
最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。
2.判定電極 將萬用表撥于R*100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。
交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。
3.檢查放大能力（跨導） 將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。
為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。 目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管，平時就不需要把各管腳短路了。
VMOS場效應管 VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。
它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A~100A）、輸出功率高（1~250W）、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點：第一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。
由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。
由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。 國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。
表1列出六種VMOS管的主要參數(shù)。其中，IRFPC50的外型如圖3所示。
下面介紹檢測VMOS管的方法。 1.判定柵極G 將萬用表撥至R*1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。
若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。 2.判定源極S、漏極D 由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據(jù)PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。
用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。 3.測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on) 將G-S極短路，選擇萬用表的R*1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由于測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R*1檔實測一只。
6.使用試管夾應注意什么
1、從試管底部套入，夾在距試管口三分之一處或中上部。
2、夾完以后，手立即放到長柄處，拇指不要按在短柄上。
3、取下時，一樣從上往下拿，始終不接觸管口。
4、加熱試管時需不停地振蕩試管，使受熱均勻。
5、防止腐蝕燒灼，手握長柄，大拇指按在長柄上。（注意：大拇指不能按在短柄上）
基本參數(shù)：試管夾長度不小于180mm，寬度20mm，厚度10mm。試管夾閉口縫不大于1mm，最大開口距不小于25mm。閉口時兩塊夾片相合無明顯不齊。試管夾所附氈塊應粘接牢固，不得脫落。
擴展資料
試管的使用注意事項：
1、裝溶液時不超過試管容量的1/2，加熱時不超過試管容量的1/3。
2、用滴管往試管內滴加液體時應懸空滴加，不得伸入試管口。
3、取塊狀固體要用鑷子夾取放至試管口，然后慢慢豎起試管使固體滑入試管底，不能使固體直接墜入，防止試管底破裂。
4、加熱使用試管夾，試管口不能對著人。加熱盛有固體的試管時，管口稍向下，加熱液體時傾斜約45°。
5、受熱要均勻，以免暴沸或試管炸裂。
6、加熱后不能驟冷，防止破裂。
參考資料來源：搜狗百科——試管夾
